دانلود مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز با word
دانلود مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز با word دارای 4 صفحه می باشد و دارای تنظیمات در microsoft word می باشد و آماده پرینت یا چاپ است
فایل ورد دانلود مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز با word کاملا فرمت بندی و تنظیم شده در استاندارد دانشگاه و مراکز دولتی می باشد.
این پروژه توسط مرکز مرکز پروژه های دانشجویی آماده و تنظیم شده است
توجه : در صورت مشاهده بهم ریختگی احتمالی در متون زیر ،دلیل ان کپی کردن این مطالب از داخل فایل ورد می باشد و در فایل اصلی دانلود مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز با word،به هیچ وجه بهم ریختگی وجود ندارد
بخشی از متن دانلود مقاله رشد لایه کیفی SiO2 برروی بستر InSb در فشار و دمای پایین به منظور ساخت آشکارسازهای مادون قرمز با word :
سال انتشار: 1388
محل انتشار: شانزدهمین کنفرانس اپتیک و فتونیک ایران
تعداد صفحات: 4
چکیده:
رشد لایه نازک SiO2 با استفاده از تکنیک رسوب شیمیایی از پلاسمای گاز (PECVD) در دما و فشار پایین به گونه ای که بتوان از آن در ساخت آشکار سازهای فتودیودی آرایه ای ایندیوم آنتیموناید (InSb) استفاده کرد،مورد تاکید ما در این مقاله است. برای این منظور لایه SiO2 رشد داده شده باید متراکم بوده ودارای کمینه بارهای آزاد داخل اکسید و مرز مشترک اکسید نیمه هادی باشد. با استفاده از تنظیم نسبتهای گاز، توان و فشار و به کمک ازمایشاتی SEM,AFM و اندازه گیری نرخ خوردگی و تغییرات ظرفیت خازنی – ولتاژ، کیفیت الکتریکی اکسید را بهینه نماییم.
دانلود این فایل